Вольтаж екатеринбург базовый: Автосервисы в Екатеринбурге: ремонт авто, стартеров, генераторов

Автосервисы в Екатеринбурге: ремонт авто, стартеров, генераторов

Ford Focus 2

Ремонт генератора

Заехал к ребятам на ремонт генератора. Сняли быстро, аккуратно. После диагностики сказали, что могут отремонтировать и новый покупать не нужно. Все сделали за 2 часа, по деньгам устроило. Езжу 5-й день, все работает ровно. Фары светят, аккумулятор не садится.

Renault Logan

Ремонт стартера

В сервисе чисто, мастера видно что с опытом. Стартер долго крутил, слабо заводил машину. После диагностики выставили смету, все починили. Через час завел машину, как новая! Ребята молодцы, не пришлось покупать новый стартер. Рекомендую, мастера знают свое дело. Сэкономил деньги.

Kia Rio

Ремонт рулевой рейки

После 120 тысяч пробега появился неприятный люфт руля.

После диагностики приговорили рулевую рейку. Разобрали, сказали что можно отремонтировать. Сделали за 2 часа — все работает как надо! Официалы по гарантии менять отказались, а ребята выручили, все быстро сняли, починили и поставили обратно.

Опыт более 10 лет

Хорошо знаем своё дело

Склад в каждом сервисе

Вам не нужно заказывать и ждать

Ремонтируем рулевые рейки

Восстановление сэкономит Ваши деньги

Проверяем на стенде

Диагностируем до и после ремонта

Подбор деталей

Поможем выбрать надежные комплектующие

Замена и восстановление турбины

Мастера с опытом и более 100.000 деталей в наличии

Ремонт день-в-день

Все в наличии, поэтому ремонт занимает минимум времени

Гарантия

На все работы и запчасти мы предоставляем гарантию

Остались вопросы? Получите бесплатную консультацию!

Получите консультацию

Отправьте номер телефона через форму, специалист проконсультирует вас в ближайшее время.

Получите консультацию

Отправьте номер телефона через форму, специалист проконсультирует вас в ближайшее время.

Вольтаж Екатеринбург Торгово-сервисная компания, индекс и схема проезда Базовый пер, 47 в Екатеринбурге

Вольтаж Екатеринбург Торгово-сервисная компания, индекс и схема проезда Базовый пер, 47 в Екатеринбурге \ \ \ \ ‘)

Справка Екатеринбурга → Инжиниринг → Вольтаж Екатеринбург, Базовый пер, 47

Вольтаж Екатеринбург работает в Екатеринбурге по адресу Базовый пер, 47. Часы работы Пн-Вс 09:00-17:00. Для более подробной информации о предприятии рекомендуем позвонить по телефону +7 (343) 210-10-90.

Сейчас в Екатеринбурге — 16:59, в это время «Вольтаж Екатеринбург» работает.

\ \ До\

Свердловская область,Екатеринбург, Базовый пер, 47

\ \ Проложить маршрут\ ‘)

Похожие компании рядом

Компания «Вольтаж Екатеринбург» в других городах

‘) \

\ Пароль\ \

\

\ E-mail\ \

\ \

Быстрая регистрация

\

Войти

\

Создать аккаунт

\ ‘)

© 2016–2021, SpravkaRF.su

Информация о компании Вольтаж Екатеринбург в Екатеринбурге

‘)

Все организации дома г.Екатеринбург, пер. Базовый, 47

Организации

BM-textile, оптовая компания

H-Point, торгово-производственная компания, ООО Альфа

Lucky wheel, автокомплекс

Телефон

(343) 328-22-22

Автодиагностика, ООО

Телефон	(343) 200-65-33 (единая справочная), 8-963-044-68-15 (единая справочная)
Сайт	www.avtodiagnostika.org

АКВИЛ, торговая компания

Телефон	(343) 287-99-99 (многоканальный), (343) 376-77-87, (343) 376-77-85
Сайт	www.akwil-tk.ru

Булат-Урал, ООО, торговая компания

Вольтаж Екатеринбург, торгово-сервисная компания, официальный дилер Bosch и Valeo

Телефон	(343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-61
Сайт	www.voltag-ekb.ru
E-mail	[email protected]

ДИСКОНТ-АВТО, магазин автозапчастей для корейских автомобилей

КомАвто, сеть магазинов автозапчастей

Магазин автозапчастей для грузовых автомобилей, ИП Иванко О.А.

Телефон

8-965-511-33-66, 8-912-248-97-47

Мега-Алко, ООО, оптовая компания

Телефон

(343) 361-34-92

Оригинал-Авто, сеть магазинов запчастей для грузовых автомобилей

ПНЕВМОСЕТЬ, ООО, торговая компания

Телефон	(343) 219-99-70, 8-912-224-05-54, Факс: (343) 203-37-10
Сайт	www.pnevmoset.ru

Стройиндустрия Екатеринбург, ООО, торгово-монтажная компания

Суоми Трейд, ООО, торговая компания

Телефон	(343) 213-44-96 (единая справочная — пн-пт 9:00-18:00; сб 10:00-15:00), (343) 298-00-83 (единая справочная — пн-пт 9:00-18:00; сб 10:00-15:00), (343) 200-73-30
Сайт	www.suomi-trade.ru

Уральский центр природного камня, ИП Гребенников А.В.

УТК, ЗАО Уральская Торговая Компания, Склад

Эко-Пак, производственно-торговая компания, ООО Уралпэт

Телефон	(343) 373-99-54
Сайт	epack66.ru

ЭТМ, торговая компания

Телефон	(343) 278-00-08 (единая справочная), (343) 287-40-06
Сайт	www.etm.ru
E-mail	[email protected], [email protected]

Японский грузовик, сеть магазинов автозапчастей

Вольтаж Екатеринбург, торгово-сервисная компания, официальный дилер Bosch и Valeo, реквизиты, адрес, телефон, контакты, вакансии, отзывы

Регион: Екатеринбург

Адрес: Екатеринбург, Вишнёвая, 69Б
Промышленный проезд, 8
Базовый пер, 47
Лукиных, 1
Донбасская, 1 — 2 этаж, автомолл Белая Башня

Телефон: (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 213-13-13, (343) 213-88-61, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-62, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-61, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-63, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-64, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 213-13-13, (343) 213-88-61, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-62, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-61, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-63, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-64, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 213-13-13, (343) 213-88-61, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-62, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-61, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-63, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-64, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 213-13-13, (343) 213-88-61, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-62, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-61, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-63, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-64, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 213-13-13, (343) 213-88-61, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-62, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-61, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-63, (343) 210-10-90 (единая справочная), 8-800-333-27-90 (звонок бесплатный), (343) 219-88-64

Факс:

E-mail: [email protected]

Сайт: www.voltag-ekb.ru

Генеральный директор / ответственное лицо / владелец торгово-сервисная компания Вольтаж Екатеринбург: уточняется

График работы: Пн-Пт: 9-20, Сб-Вс: 9-16

Вольтаж Екатеринбург автосервисы Екатеринбург – отзывы, адреса и телефоны

«Вольтаж Екатеринбург» – автосервис в Кировском районе города Екатеринбурга. Специалисты автосервиса подходят к работе со всей ответственностью и знают, как важна безопасность за рулем. Обращайтесь за качественным ремонтом и оборудованием в автосервис «Вольтаж Екатеринбург», и ваша машина всегда будет в порядке!

Услуги

В автосервисе «Вольтаж Екатеринбург» вы можете не только отремонтировать свой автомобиль, но и приобрести все необходимые комплектующие для ремонта. Специалисты быстро и качественно осуществят ремонт генераторов, рулевых реек, насосов ГУР, бензонасосов  и стартеров для любых автомобилей, причем не только для легковых авто – мастера занимаются ремонтом и автобусов, и водного транспорта. Гарантия качества и низкие цены.

Также в автосервисе «Вольтаж Екатеринбург» можно отремонтировать мотор автопечки любых видов, заправить кондиционер вашего авто и поменять подшипник на его компрессоре. Заправка производится на оборудовании фирмы Valeo – мирового лидера по поставкам оригинальных запчастей и оборудования для сервисов.

Ремонт рулевых реек в автосервисе «Вольтаж Екатеринбург» обходится клиентам в полтора-два раза дешевле, чем покупка новых деталей. И служит отремонтированная деталь ничуть не хуже новой. В наличии всегда есть большой выбор автозапчастей, поэтому ремонт происходит в день обращения в автосервис.

Месторасположение

Автосервис «Вольтаж Екатеринбург» находится в Кировском районе городе Екатеринбурга, по адресу Библиотечная, 62А. Так что если вы проживаете на Втузгородке и давно искали хороший автосервис – приезжайте в «Вольтаж Екатеринбург». Здесь работают профессионалы своего дела!

Автосервис «Вольтаж Екатеринбург» – грамотный подход к ремонту автомобиля!

 

Падение напряжения в низковольтных системах ландшафтного освещения

Низковольтные системы являются стандартными для ландшафтного освещения, но многие домовладельцы не понимают лежащих в основе электрических проблем. Если вы планируете низковольтную систему ландшафтного освещения, вам необходимо учитывать определенные свойства электропроводки, иначе ваша система выйдет из строя. Ключом к планированию успешной системы ландшафтного освещения является понимание падения напряжения в низковольтных системах ландшафтного освещения.

Почему имеет значение падение напряжения

Самая основная цель проводки в вашей системе ландшафтного освещения — просто подать электричество ко всем вашим источникам света. Без нужного количества электричества свет не будет работать. А если ваши фонари не работают, никакое творчество или планирование не спасут ваш ландшафтный дизайн освещения.

Обеспечить достаточное количество электричества для каждого из ваших светильников не так просто, как просто отправить провод, который соединяет все ваши светильники обратно с источником питания.Природа электропроводки такова, что она действует как резистор. Он не передает 100% электроэнергии от источника по всей длине провода. Так что, если вы не планируете ландшафтное освещение с учетом этого, вы получите некоторые источники света, которые не получают электричества, которое им необходимо, чтобы светить с полной яркостью. А что хорошего в ландшафтном освещении, если светильник не такой, как вы планировали?

Разница между низковольтным и стандартным напряжением

Стандартное напряжение для коммерческих и жилых зданий в США составляет 120 вольт.Это отличное напряжение для электромонтажа зданий. Это позволяет проводам разумного размера (другими словами, проводам) проводить электричество без значительного падения напряжения.

Все проводники в некоторой степени являются резисторами. Это означает, что чем дальше проходит ток, тем он слабее. При 120 В требуется меньший ток, измеряемый в амперах, для обеспечения мощности, необходимой для домашнего освещения и бытовой техники. Чем меньше ток, тем меньше падение напряжения.

Но когда дело касается уличного ландшафтного освещения, у 120v есть недостатки.Самый большой недостаток — работать с ним опасно. Вы не захотите прикасаться к проводам в вашем доме. Вы можете получить серьезный шок. В общем, если вы работаете с домашней электропроводкой, вы, вероятно, электрик, к тому же у вас отключено питание. В противном случае средний домовладелец не должен слишком много взаимодействовать с домашней проводкой. Электропроводка спрятана в стенах вашего дома, и у вас мало поводов с ней возиться.

При ландшафтном освещении проводка гораздо более открыта.Его можно закопать в относительно неглубокой канаве в саду. Электропроводка также проходит по настилам, деревьям, у основания стены и в других открытых местах. Ландшафтное освещение — это тоже проект, сделанный своими руками для многих домовладельцев. Поэтому, чтобы все были в безопасности, производители ландшафтного освещения в качестве стандарта выбрали 12 вольт. Для большинства ландшафтных светильников требуется относительно низкая мощность, поэтому дополнительное напряжение в любом случае не потребуется. И у вас гораздо меньше шансов получить травму с 12 В, чем с 120 В.

Причины падения напряжения

Падение напряжения — это результат качества ваших проводов.В общем, ничто не является идеальным проводником электрической энергии. Для некоторых специальных применений ученые разработали материалы с высокой проводимостью и провода, которые теряют очень мало напряжения. Они известны как сверхпроводники и имеют много важных применений.

Но когда дело доходит до потребительских проводов, используемых для передачи электроэнергии для питания наших устройств, гораздо более выгодно использовать медь и другие распространенные материалы для проводки. Эти материалы отлично передают электричество, необходимое для всех наших бытовых приборов.

Однако эти проводники потребительского класса имеют значительное сопротивление. Это сопротивление увеличивается с увеличением диаметра провода и повышением силы тока. При напряжении 120 В и проводе стандартного калибра сопротивление обычно не является проблемой. Но из-за того, что 12 В посылает более сильный ток, сопротивление может стать проблемой, если не спланировать должным образом.

Как избежать падения напряжения

Ключом к планированию успешной системы ландшафтного освещения является понимание падения напряжения и его влияния на вашу планировку.Что бы вы ни делали, напряжение на конце вашего провода будет ниже, чем напряжение на источнике энергии. Но вы можете спланировать схему освещения таким образом, чтобы минимизировать падение напряжения. Это гарантирует, что все светильники в вашем дизайне освещения будут получать достаточную энергию для работы с их полной желаемой яркостью.

Основной проблемой при падении напряжения является расстояние и количество осветительных приборов. Чем больше осветительных приборов на одном отрезке кабеля и чем длиннее кабель, тем больше падение напряжения.Таким образом, ключом к предотвращению падения напряжения является ограничение этих факторов. Использование меньшего количества приборов на одном участке кабеля позволит каждому прибору в серии потреблять больше тока.

Некоторые идеи по предотвращению падения напряжения

Есть несколько способов спроектировать электрическую схему так, чтобы у вас не было слишком большого расстояния или слишком много приспособлений на одной линии.

• Несколько прямых прогонов. Вместо того, чтобы обматывать длинный кабель, чтобы добраться до всех ваших источников света, используйте несколько более коротких линий, каждая из которых включает только несколько огней и меньшее общее расстояние.Вам нужно будет убедиться, что ваш трансформатор расположен в центре.
• Конструкция петли. Вы можете спроектировать маршрут проводки так, чтобы он доходил до каждого приспособления, а затем возвращался к трансформатору. Это даст более равномерное напряжение для каждого прибора. Просто убедитесь, что полярность ваших проводов соответствует трансформатору.
• Т-Дизайн. При Т-образной конструкции вы прокладываете один кабель от трансформатора к центральной точке, а затем прокладываете кабель в двух (или более) направлениях оттуда.Вы можете использовать провод более толстого сечения для первого пробега, чтобы было меньше сопротивления, а затем переключитесь на меньший калибр для пробежек с включенными огнями.

Используя эти конструкции или комбинацию этих методов, вы можете гарантировать, что каждый прибор получает необходимое напряжение.

Зовут профессионалов

Конечно, хотя стандарт 12 В сделал его безопаснее и проще для домовладельцев, он не заменит профессионалов.Если у вас есть какие-либо вопросы по поводу освещения, вы можете подумать о том, чтобы обратиться за помощью. Дружелюбные профессионалы Night Vision Outdoor Lighting будут работать с вами, чтобы разработать план, который будет работать.

Один из наших дизайнеров / установщиков обсудит с вами все аспекты вашего проекта. Мы выслушаем, что вам нужно, чего вы хотите и что позволяет ваш бюджет. Затем мы вместе с вами разработаем план, который будет эстетичен и надежен с точки зрения электричества. Мы позаботимся о том, чтобы в итоге вы получили освещение, которое отлично выглядит и работает как шарм.И тебе не о чем беспокоиться.

Вы готовы добавить в свой дом отличное наружное освещение? Вы определенно попали в нужное место. Просто просмотрите наш веб-сайт, чтобы узнать, что мы делаем. Здесь вы можете увидеть фотографии наших последних проектов. Хотите услышать мнение таких же клиентов, как вы, которые любили нашу работу? Наша страница отзывов полна полезных отзывов. И когда вы будете готовы, вы можете посетить нашу страницу контактов, чтобы назначить консультацию, чтобы выяснить, какое решение освещения будет наилучшим для ваших уникальных потребностей.

AtlasIED — защита, информирование, развлечения

Часовой пояс: (UTC-12: 00) Международная линия дат — запад (UTC-11: 00) Всемирное координированное время-11 (UTC-10: 00) Алеутские острова (UTC-10: 00) Гавайи (UTC-09: 30) Маркизские острова ( UTC-09: 00) Аляска (UTC-09: 00) Универсальное скоординированное время-09 (UTC-08: 00) Нижняя Калифорния (UTC-08: 00) Универсальное скоординированное время-08 (UTC-08: 00) Тихоокеанское время ( США и Канада) (UTC-07: 00) Аризона (UTC-07: 00) Чиуауа, Ла-Пас, Масатлан ​​(UTC-07: 00) Горное время (США и Канада) (UTC-07: 00) Юкон (UTC- 06:00) Центральная Америка (UTC-06: 00) Центральное время (США и Канада) (UTC-06: 00) Остров Пасхи (UTC-06: 00) Гвадалахара, Мехико, Монтеррей (UTC-06: 00) Саскачеван (UTC-05: 00) Богота, Лима, Кито, Рио-Бранко (UTC-05: 00) Четумаль (UTC-05: 00) Восточное время (США и Канада) (UTC-05: 00) Гаити (UTC-05: 00) Гавана (UTC-05: 00) Индиана (Восток) (UTC-05: 00) Теркс и Кайкос (UTC-04: 00) Асунсьон (UTC-04: 00) Атлантическое время (Канада) (UTC-04: 00 ) Каракас (UTC-04: 00) Куяба (UTC-04: 00) Джорджтаун, Ла-Пас, Манаус, Сан-Хуан (UTC-04: 00) Сантьяго (UTC-03: 30) Ньюфаундленд (UTC-03: 00) Арагуайна (UTC-03: 00 ) Бразилиа (UTC-03: 00) Кайенна, Форталеза (UTC-03: 00) Город Буэнос-Айрес (UTC-03: 00) Гренландия (UTC-03: 00) Монтевидео (UTC-03: 00) Пунта-Аренас (UTC -03: 00) Сен-Пьер и Микелон (UTC-03: 00) Сальвадор (UTC-02: 00) Всемирное координированное время-02 (UTC-02: 00) Среднеатлантическое время — Старый (UTC-01: 00) Азорские острова ( UTC-01: 00) Острова Кабо-Верде.(UTC) Всемирное координированное время (UTC + 00: 00) Дублин, Эдинбург, Лиссабон, Лондон (UTC + 00: 00) Монровия, Рейкьявик (UTC + 00: 00) Сан-Томе (UTC + 01: 00) Касабланка (UTC + 01:00) Амстердам, Берлин, Берн, Рим, Стокгольм, Вена (UTC + 01: 00) Белград, Братислава, Будапешт, Любляна, Прага (UTC + 01: 00) Брюссель, Копенгаген, Мадрид, Париж (UTC + 01: 00) Сараево, Скопье, Варшава, Загреб (UTC + 01: 00) Западная Центральная Африка (UTC + 02: 00) Амман (UTC + 02: 00) Афины, Бухарест (UTC + 02: 00) Бейрут (UTC + 02: 00) Каир (UTC + 02: 00) Кишинев (UTC + 02: 00) Дамаск (UTC + 02: 00) Газа, Хеврон (UTC + 02: 00) Хараре, Претория (UTC + 02: 00) Хельсинки, Киев, Рига, София, Таллинн, Вильнюс (UTC + 02: 00) Иерусалим (UTC + 02: 00) Джуба (UTC + 02: 00) Калининград (UTC + 02: 00) Хартум (UTC + 02: 00) Триполи (UTC + 02:00) Виндхук (UTC + 03: 00) Багдад (UTC + 03: 00) Стамбул (UTC + 03: 00) Кувейт, Эр-Рияд (UTC + 03: 00) Минск (UTC + 03: 00) Москва, С.-Петербург (UTC + 03: 00) Найроби (UTC + 03: 00) Волгоград (UTC + 03: 30) Тегеран (UTC + 04: 00) Абу-Даби, Маскат (UTC + 04: 00) Астрахань, Ульяновск (UTC + 04 : 00) Баку (UTC + 04: 00) Ижевск, Самара (UTC + 04: 00) Порт-Луи (UTC + 04: 00) Саратов (UTC + 04: 00) Тбилиси (UTC + 04: 00) Ереван (UTC + 04:30) Кабул (UTC + 05: 00) Ашхабад, Ташкент (UTC + 05: 00) Екатеринбург (UTC + 05: 00) Исламабад, Карачи (UTC + 05: 00) Кызылорда (UTC + 05: 30) Ченнаи, Калькутта, Мумбаи, Нью-Дели (UTC + 05: 30) Шри-Джаяварденепура (UTC + 05: 45) Катманду (UTC + 06: 00) Астана (UTC + 06: 00) Дакка (UTC + 06: 00) Омск (UTC + 06:30) Янгон (Рангун) (UTC + 07: 00) Бангкок, Ханой, Джакарта (UTC + 07: 00) Барнаул, Горно-Алтайск (UTC + 07: 00) Ховд (UTC + 07: 00) Красноярск (UTC +07: 00) Новосибирск (UTC + 07: 00) Томск (UTC + 08: 00) Пекин, Чунцин, Гонконг, Урумчи (UTC + 08: 00) Иркутск (UTC + 08: 00) Куала-Лумпур, Сингапур (UTC +08: 00) Перт (UTC + 08: 00) Тайбэй (UTC + 08: 00) Улан-Батор (UTC + 08: 45) Евкла (UTC + 09: 00) Чита (UTC + 09: 00) Осака, Саппоро, Токио (UTC + 09: 00) Пхеньян (UTC + 09: 00) Сеул (UTC + 09: 00) Якутск (UTC + 09: 30) Адель помощник (UTC + 09: 30) Дарвин (UTC + 10: 00) Брисбен (UTC + 10: 00) Канберра, Мельбурн, Сидней (UTC + 10: 00) Гуам, Порт-Морсби (UTC + 10: 00) Хобарт (UTC +10: 00) Владивосток (UTC + 10: 30) Остров Лорд-Хау (UTC + 11: 00) Остров Бугенвиль (UTC + 11: 00) Чокурдах (UTC + 11: 00) Магадан (UTC + 11: 00) Остров Норфолк (UTC + 11: 00) Сахалин (UTC + 11: 00) Соломоновы острова., Новая Каледония (UTC + 12: 00) Анадырь, Петропавловск-Камчатский (UTC + 12: 00) Окленд, Веллингтон (UTC + 12: 00) Всемирное координированное время + 12 (UTC + 12: 00) Фиджи (UTC + 12: 00) Петропавловск-Камчатский — Старое (UTC + 12: 45) Острова Чатем (UTC + 13: 00) Всемирное координированное время + 13 (UTC + 13: 00) Нукуалофа (UTC + 13: 00) Самоа (UTC + 14 : 00) Остров Киритимати

Новостная рассылка:

Перенос спина в EuO: Fe / GaAs Контакт

Журнал современной физики
Vol.4 № 3 (2013), ID статьи: 28566,5 стр. DOI: 10.4236 / jmp.2013.43041

Спин-перенос в EuO: Fe / GaAs Контакт

Арнольд С. Борухович

Российский государственный профессионально-педагогический университет, Екатеринбург, Россия

Электронная почта: [email protected]

Поступила 30.08.2012; отредактировано 25 января 2013 г .; принята к печати 5 февраля 2013 г.

Ключевые слова: Спинтроника; Магнитная полупроводимость; Spin Transfer

РЕФЕРАТ

Спин-волновые структуры, вольт-амперные характеристики которых контролируются при комнатной температуре с помощью магнитного поля, были получены промышленными технологическими методами с использованием тонкопленочного композита на основе спинтроника и монооксида европия в качестве эмиттера и монокристаллического полупроводника n- GaAs как коллектор.Это показывает, что перенос спинового тока действительно существует и что высокотемпературный спиновой транзистор был изготовлен с использованием контакта магнитный полупроводник / немагнитный полупроводник.

1. Введение

До сих пор одной из наиболее сложных проблем полупроводниковой спинтроники является реализация устойчивого переноса спинового тока при комнатных температурах и создание спинового транзистора на основе контакта ферромагнитный полупроводник / немагнитный полупроводник (FS / S ).Пока все имеющиеся достижения в этой области микроэлектроники связаны с низкими температурами. Рабочие температуры спиновых диодов в лучшем случае находятся в пределах 150 — 180 К [1-3]. Такие же предельные температуры характерны для спинового транзистора, разработанного Аппельбаумом и др. [4,5], которые реализовали туннелирование спинов через кремниевую основу микронной толщины. Как известно, спиновая инжекция производилась из ферромагнитного металлического сплава Co-Fe, и, учитывая значения удельного электросопротивления барьерного слоя (интерфейса) в контакте FS / S, этот резистор только с большим запасом можно отнести к полупроводниковым электронным. устройств.Кроме того, спиновой транспорт был направлен в кремний, немагнитный полупроводник, который не является очень подходящей базой для спинового транзистора для реализации логических функций спиновой информатики из-за его узкой запрещенной зоны и слишком малого g-фактора для носителей заряда. . Получение проверенных практикой низкотемпературных спиновых структур FS / S и сформулированные ранее [6] требования к параметрам спинтронных полупроводниковых систем обосновывают спинтронику как микроэлектронику зеемановских электронных уровней, что на сегодняшний день существенно ограничивает выбор основного немагнитного полупроводника — спинового коллекционер.В основном это кристаллы InSb, GaAs и GaN с g-фактором ~ 50, которые, однако, не получили широкого применения в современной микроэлектронике на основе Si. Более того, технология получения таких кристаллов с заданной концентрацией носителей в них во многом отстает от разработанной для кремния.

Требования к ферромагнитным полупроводникам как инжекторам (эмиттерам) электронных спинов в устройствах спинтроники достаточно просты. Их температура Кюри должна быть выше комнатной.Желательно, чтобы величина намагниченности была достаточно значительной, чтобы обеспечить высокую степень спиновой поляризации носителей в самой ПФ (повышенная энергия расщепления спиновых подзон ПФ). Удельное электрическое сопротивление материала инжектора и основания (детектора) должно иметь одинаковые значения для обеспечения прозрачности интерфейса для туннельных спинов. И, конечно же, технологичность производства: простой синтез материалов, в том числе в виде тонких пленок, и возможность изготовления спинтронных гетероструктур с указанными полупроводниковыми кристаллами.

Так уж сложилось, что все известные «классические» однофазные ПФ являются низкотемпературными ферромагнетиками — их температуры Кюри ниже Т _C ~ 130 — 140 К. Несколько фаз на основе лантаноидов марганца, у которых Т _C как исключение составляют ~ 350 К. Однако относить последние материалы к однофазным однополостным ферромагнитным кристаллам весьма сомнительно, поскольку они (как и другие фазы на основе LaMnO ₃ ) всегда содержат определенное количество Mn ⁺⁴ (или Mn ⁺² ). ионы, образующие подрешетку с антиферромагнитным порядком по отношению к решетке на основе спинов ионов Mn ⁺³ .По-видимому, по этой причине до сих пор не наблюдалось стабильного спинового перехода с участием таких FS-фаз даже при низких температурах.

Существует серия разбавленных магнитных полупроводников (DMS) с Т _C выше комнатной, магнетизм которых также связан с подрешеткой на основе ионов Mn ⁺³ . Они широко применяются в спинтронике и использовались во многих низкотемпературных контактах [7]. Однако такие фазы относятся скорее к слабым ферромагнетикам, и до сих пор не сообщалось об их использовании в каких-либо рабочих спиновых структурах.Co ₂ Ферромагнитные полуметаллические сплавы Гейслера типа MnSn с Т _C ≥ 500 К, используемые в качестве спин-инжекторов, также не смогли повысить указанные выше рабочие температуры спиновых диодов.

Поэтому поиск и создание материалов для спиновых инжекторов в последнее время включили создание композитов на основе высокозонных полупроводников оксидов металлов (ZnO, TiO ₂ , SiO ₂ и др.), Содержащих примеси. ферромагнитного металла — Fe или Co [8].Когда содержание металла невелико (намного меньше предела перколяции), такие композиты остаются полупроводниками и становятся ферромагнитными материалами со значениями Т _C , которые значительно превышают комнатные температуры. По удельным значениям намагниченности такие композиты также можно отнести к слабым ферромагнетикам; это, однако, не исключает их применения в высокотемпературной спинтронике. Кроме того, интерфейсы на их основе могут обладать гигантскими эффектами магнитосопротивления [9].

В связи с этим особый интерес для спинтроники представляют ферромагнитные композиты на основе «классического» FS-монооксида европия (EuO) с соответствующей температурой Кюри Т _C = 69 К. При Т = 0 К этот оксид демонстрирует рекорд намагниченности насыщения ферромагнетика 4πМ = 2,4 Тл, что соответствует магнитному моменту иона Eu ⁺² , равному 7μ _B (ср .: максимальное значение этого параметра, достигнутое для ДМС составляет 4πМ = 0,75 Тл, а для композитов на основе оксидов переходных металлов 4πМ = 0.10 т). В то же время носители тока в EuO обладают почти 100% -ным порядком спинов — спиновая подзона для антипараллельных спинов пуста. Поэтому при низких температурах EuO может иметь спиновую инжекцию того же порядка.

С учетом этих параметров однофазные твердые растворы Eu _1-x R _x O (R-La, Gd, Sm), у которых Т _C увеличены до 120 — 130 К за счет эффекта магнитной неоднородности и обменного между магнитными квазимолекулами [10], может быть до некоторой степени сравнимо с EuO.Верно, что энергия расщепления спиновых подзон и степень спиновой поляризации носителей заряда у этих разновидностей несколько уменьшаются. Путем легирования EuO его удельное электрическое сопротивление и концентрация электронных носителей заряда можно изменять в широком диапазоне от значений, типичных для полупроводников, до значений для полуметаллов. Это обеспечивает прозрачность интерфейса для контактов с немагнитными полупроводниками. Эффективность таких кристаллов в низкотемпературных спиновых устройствах продемонстрирована в [1].

2. Данные эксперимента

Чтобы сохранить указанные положительные особенности EuO, ранее нами была синтезирована серия композитов EuO-Fe (Co), в том числе в виде наноразмерных пленок, температура Кюри которых соответствует переходной ферромагнитные металлы, а композиты остались полупроводниками с шириной запрещенной зоны E _г ≈ 0,75 эВ и удельным электросопротивлением при комнатных температурах в пределах ρ ≈ 1 ÷ 10 Ом · см [11]. Величина удельной намагниченности этих композитов при комнатной температуре составляет М = 60 emu / g, что на порядок (а иногда и больше) больше, чем для всех других упомянутых выше оксидных композитов и ДМС, предлагаемых в качестве спиновых инжекторов для спинтронных структур.Такое значение М, вероятно, связано не только с долей ферромагнитных ионов Eu ²⁺ , но и с их частичной спиновой поляризацией в окрестности примесного иона железа, которая приводит к образованию Eu ⁺³ -Fe ⁺ -O ⁻² кластеров. Такие кластеры возникают в структуре композита в результате переноса спина по косвенному механизму d-f-обмена, предложенному для таких композитов в [5]. [12]. Это подтверждается прямыми магнитными измерениями и результатами мессбауэровской спектроскопии [13,14].Согласно этим данным, в области удельной намагниченности композита в области Т ≈ 480 К наблюдается перегиб с максимумом при DМ ≈ 10 emu / g, аналогичный магнитному фазовому переходу, связанному с разупорядочением указанных кластеров. NGR ⁵⁷ Fe-спектры композита содержат не менее двух секстетов зеемановских линий: один секстет с Н _eff = 32,8 Тл, изомерное смещение δ = 0 и квадрупольное расщепление ε = 0, другой секстет с Н _eff. = 19,2 Т, δ = +0.20 мм / с, ε = 0,005 мм / с, которые относятся к свободным частицам α-Fe в композите и в указанных выше кластерах соответственно [13]. Относительная интенсивность их секстетов (I _{( α — Fe)} ≈ 0,72; I _{(EuO / Fe)} ≈ 0,28) показывает, что часть примесных атомов железа, вступивших в химический контакт с европий, относительно невелик по сравнению со всем уровнем легирования EuO (около 1/3 от 25 мас.% Fe). Мессбауэровская спектроскопия на ядрах ¹⁵¹ Eu [14] также указывает на значительную долю парамагнитных ионов Eu ³⁺ в композите.

Сказанное явилось основой для создания спинтронного устройства, способного к переносу спинов при комнатных температурах, — высокотемпературного полевого спинового транзистора на основе немагнитного полупроводника GaAs, используемого в качестве коллектора [15]. В этом состоит основная цель настоящей работы.

Создание полевого транзистора на основе контакта (EuO: Fe) / GaAs представляло собой трехэтапный процесс, в котором для проектирования таких устройств и производства интегральных схем использовались промышленные микроэлектронные технологии.На первом этапе методом литографии были вытравлены прямоугольные каналы размером 30 × 0,2 мм ² в пластине монокристаллического n-GaAs с концентрацией носителей n ≈ 10 ¹⁴ см ⁻³ , которые были заполнены слой золота толщиной нм. Слой Au был покрыт защитным слоем SiO _x (40 нм), который вместе с контактом Au служил барьером Шоттки и базой транзистора. Поверх этого слоя был нанесен композитный (EuO: Fe) слой толщиной 0,2 мкм, который служил спин-эмиттером (инжектором).Контакты к эмиттеру и детектору были выполнены из золота.

Намагничивание и вольт-амперные характеристики некоторых контактных структур измерялись при комнатной температуре. Из рисунка 1 следует, что намагниченность структуры насыщается в полях выше 0,5 Тл. Петля намагничивания в легком магнитном направлении была более прямоугольной, чем в жестком направлении. Но в целом разница была незначительной. Открытие петель намагничивания в пределах обнаружения магнитометра не обнаружено.После насыщения собственное значение магнитного момента структуры находилось в районе М ≈ 40 emu / g.

Вольт-амперная характеристика контактной структуры представлена ​​на рис. 2 в отсутствие внешнего магнитного поля и в намагниченном состоянии в поле Н = 200 мТл. Когда внешнее магнитное поле не применяется и эмиттер не намагничен, эта характеристика типична для полевого МОП-транзистора. Если эмиттер намагничен, ток в коллекторе появляется уже при нулевом смещении на базе, и его величина меньше, чем при Н = 0.Другими словами, он определяется спиновой составляющей туннельного тока, совпадающей с направлением намагниченности эмиттера — спинового инжектора. Когда на базу подается напряжение смещения, значение спинового тока также уменьшается.

3. Обсуждение

Если ток коллектора в немагниченном эмиттере рассматривать как 100% -ный перенос заряда (J ₀ ), то степень спинового переноса (Р) можно оценить по переносу заряда намагниченного эмиттер (J _m ) как:

Согласно рисунку 2, Р ≈ 60%, что является достаточно высоким значением, во многом определяемым, по-видимому, EuO-компонентом композита — спиновым эмиттером.Этот результат, а также увеличенный магнитный момент

Рис. 1. Кривые намагничивания контакта (EuO: Fe) / GaAs вдоль (легкое магнитное направление, пара) и перпендикулярно плоскости контакта (жесткое магнитное направление, перпендикулярно) при комнатной температуре.

Рисунок 2. Вольт-амперные характеристики спинового транзистора без магнитного поля и в магнитном поле 200 мТл (2 кЭ).

эмиттера по сравнению с чистым Fe при комнатной температуре, и приведенные выше данные NGR для ядер ⁵⁷ Fe показывают, что присутствие наночастиц α-железа и железа, частично связанного в кластерах Eu-Fe-O, действительно приводит к электронному перенос плотности от ионов Eu ²⁺ к железу и определенному восстановлению спиновой поляризации ионов Eu ³⁺ в окрестности примесных ионов Fe ⁺ в кластере вплоть до 480 К.Это, в свою очередь, определяет усиленную спиновую поляризацию носителей тока, инжектированных из такого эмиттера в немагнитный полупроводник.

Механизм инжекции спин-поляризованных электронов из этого эмиттера через оксидный интерфейс Шоттки с немагнитным полупроводником-коллектором GaAs и их дальнейший перенос в нем моделируется на детекторной цепи контакта FS / S (рис. 3) [6 ]. Правда, в нашем случае вольт-амперная характеристика спинового транзистора регистрировалась при комнатных температурах, в то время как P

Возможность реализации прямого спинового транспорта носителей тока с ПФ на верхний зеемановский уровень немагнитного полупроводника в электрическом поле .Этот перенос спина обусловлен положительным знаком спинового s-d (d-f) обменного интеграла между магнитными моментами носителей в ПФ. В случае преобладания отрицательного знака обменного взаимодействия между спинами носителей в инжекторе возможен перенос через область контакта на нижний зеемановский уровень в запрещенную зону немагнитного полупроводника и ее заполнение.

В обоих случаях должны соблюдаться эффекты, обязанные только поглощению энергии.Такое же преимущественное заселение только верхнего зеемановского уровня в первом случае соответствует поглощению энергии с уменьшением интенсивности сигнала ЭПР. Переход носителя на частоту ЭПР на незанятый нижний зеемановский уровень полупроводника и его заселенность электронами сопровождается

Рис. 3. Зонная схема контакта FS / S: 1 — процесс излучательного переноса спина посредством перенос с ПФ на верхний (донорный) зеемановский уровень немагнитного полупроводника с возрастающей плотностью заполнения без переменного h-поля; Перенос 2-носителей на незанятый нижний (акцепторный) зеемановский уровень S с частотой ЭПР и генерацией излучения от S.E _f — уровень Ферми ПФ, разбитый на подуровни со спиновой ориентацией (↑) и пустой (↓) спонтанной намагниченностью.

за счет увеличения уровня интенсивности сигнала ЭПР и выброса соответствующей энергии hn (процесс генерации излучения от S).

В нашем случае при меньшем значении P f- с преимущественной ориентацией спинов носителей заряда против намагниченности (↓). Это соответствовало бы наличию частично отрицательного обмена между носителями тока.В этом случае перенос тока через FS / S-барьер снова будет облучающим и будет соответствовать заполнению как верхнего, так и нижнего зеемановских уровней в S.

Предполагая, что электромагнитное излучение происходит на частоте ЭПР-полупроводника с прохождением электронов через барьера ПФ / П до верхнего зеемановского уровня полупроводника и его последующего перехода на незанятый нижний уровень с испусканием квантов энергии, то теоретически допустимый предел выходного излучения такой гетероструктуры будет иметь значение:

где μ _B — магнетон Бора, Н — внешнее магнитное поле, J — ток, протекающий через гетероструктуру, заряд е-электрона.Его оценка для обычных параметров волноводного канала и кристалла n-InSb дает следующие значения: для диапазона 8 мм N = 156 мкВт / А, а для диапазона 0,1 мм — N = 12 мВ / А.

В случае равновероятного заселения верхнего и нижнего зеемановских уровней в S электронами из частично заполненных зон FS со спинами (↑) и (↓) излучения из S. от S к FS в гетероструктуре на границе раздела для спинов (↓) должен возникать дополнительный энергетический барьер со значением D = 2 As (где A — обменный параметр, s-спин иона Eu ²⁺ ).Этот барьер образует своего рода барьерный слой и рост электросопротивления обратного контакта — в ПФ будут иметь место только носители со спином (↑). Такая FS / S-гетероструктура может проявлять себя как спиновый фильтр.

4. Заключение

Таким образом, использование ферромагнитного полупроводникового композита EuO: Fe в качестве эмиттера полевого транзистора в контакте с немагнитным полупроводником GaAs позволяет создать высокотемпературный спиновый транзистор, рабочие характеристики которого которые контролируются внешним магнитным полем.Степень спиновой поляризации носителей тока в нем может быть очень высокой. Поскольку повышенный g-фактор спиновых носителей тока коллектора обеспечивает значительное (по энергии) расщепление зеемановских электронных уровней в запрещенной зоне, определяемой как D = μ _B · g · H, то предлагаемое устройство может быть основой для разработка целого ряда спинтронных систем. Согласно оценкам для кристалла n-InSb, физические характеристики которого аналогичны характеристикам n-GaAs, время жизни электронного спина на зеемановском уровне в поле Н = 1 Тл может достигать τ ≈ 10 90 · 108 6 90 · 109 с при его расщеплении D = 50 К.В тех же условиях зеемановское расщепление примесного электронного уровня в кремнии составляет всего D = 1 К. Повышенное значение зеемановского расщепления примесного электронного уровня в запрещенной зоне немагнитного полупроводника с большой запрещенной зоной обеспечивает длительное время пребывания. носителя заряда одной ориентации спина (без переворота спина) на одном из его подуровней. Это необходимое требование для работы спинтронных логических систем.

5. Благодарности

Благодарю своих коллег из Научно-практического центра материаловедения Национальной академии наук Беларуси, Минск, А.И. Стонию, К. И. Янушкевичу, А. И. Галясу за технологическую реализацию проекта.

СПРАВОЧНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

1. А. С. Борухович, «Физика материалов и структур сверхпроводящей и полупроводниковой спиновой электроники», Екатеринбург, УрО, 2004.
2. И. Жутич, Дж. Фабиан, С. Дас Сарма, «Спинтроника: основы и приложения. // Обзоры современной физики. 76, No. 2, 2004, pp. 323-410.
3. А. Борухович С. Спинтроника полупроводниковых систем. Депозит ВИНИТИ 10.03.05, №322-В2005.
4. Б. Хуанг, Д. Дж. Монсма, И. Дж. Аппельбаум, «Экспериментальная реализация кремниевого спин-полевого транзистора», Applied Physics Letters, Vol. 91, № 7, 2007, Идентификатор статьи: 072501.
5. I. Аппельбаум, Б. Хуанг и Д. Дж. Монсма, «Электронное измерение и контроль спинового транспорта в кремнии», Nature, Vol. 447, 2007, стр. 295-298. doi: 10.1038 / nature05803
6. Борухович А.С. Материалы и структуры полупроводниковой спинтроники // Перспективные материалы.4, 2006, стр. 23-31.
7. Г. В. Лашкарев, М. В. Радченко, В. А. Карпина, В. И. Сичковский, «Разбавленные магнитные полупроводники как материалы для спиновой электроники», Физика низких температур. 33, № 2-3, 2007, стр. 228-238.
8. Г. Д. Нипан, В. А. Кецко, А. И. Стогний, Н. Т. Дж. Кузнецов, «Перспективы материаловедения для оксидных ферромагнитных полупроводников», Неорганические материалы, Т. 46, No. 12, 2010, pp. 35-56.
9. Л.В. Луцев, А. Стогний И., Новицкий Н. Н. Гигантское инжекционное магнитосопротивление в гетероструктурах арсенида галлия / зернистых пленках с наноразмерными включениями кобальта // Письма в ЖЭТФ. 81, No. 10, 2005, pp. 636-639.
10. Нагаев Е.Л. Физика магнитных полупроводников. М .: Наука, 1979. с. 431.
11. А. Борухович С., Игнатьева Н. И., Галяс А. И., Дорофейчик С. С., Янушкевич К. И. Тонкопленочный ферромагнитный композитный материал для спинтроники // Письма в ЖЭТФ.84, No. 9, 2006, pp. 592-595.
12. Альтшулер Т.С., Горюнов И., Бреслер М.С. Ферромагнитное упорядочение примеси Fe в полупроводнике с флуктуационной валентностью SmB ₆ // ЖЭТФ. 130, No. 4, 2006, pp. 729-736.
13. А.С. Борухович, Н.И. Игнатьева, А.И. Галяс, О.Ф. Демиденко, Ю. Федотова А., Стогний А.И., Янушкевич К.И. Суперпарамагнетизм ферромагнитного композитного материала EuO: Fe для спинтроники // Наноэлектроника и оптоэлектроника.3, № 1, 2008, с. 82-85.
14. А. С. Борухович, Н. И. Игнатьева, К. И. Янушкевич, А. И. Стогний, Ю. А. Федотова, “Исследование спинтронного материала EuO: Fe с помощью мёссбауэровской спектроскопии” // Письма в ЖЭТФ. 89, No. 4, 2009, pp. 215-218.
15. А. С. Борухович, Н. И. Игнатьева, А. И. Галяс, К. И. Янушкевич, А. Стогний И. Спиновый транзистор. Патент РФ № 2387047, 2010. 288 с.

% PDF-1.7 % 1 0 объект > / Pages 2 0 R / StructTreeRoot 147 0 R / Type / Catalog / MarkInfo> / PageLabels> / Lang (ru-RU) / Metadata 356 0 R >> эндобдж 5 0 obj > / XObject> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 57 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 6 0 obj > / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 70 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 7 0 объект > / XObject> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 88 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 8 0 объект > / XObject> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 92 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 9 0 объект > / XObject> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 97 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 10 0 obj > / XObject> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 101 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 11 0 объект > / XObject> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 109 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 12 0 объект > / XObject> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 117 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 13 0 объект > / XObject> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 121 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 14 0 объект > / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 125 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 15 0 объект > / XObject> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 127 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 16 0 объект > / XObject> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 129 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 17 0 объект > / XObject> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / Font >>> / MediaBox [0 0 720 540] / Type / Page / Parent 18 0 R / Contents 131 0 R / Tabs / S / Группа >>> эндобдж 29 0 объект >>> / Length 36 / PaintType 1 / Filter / FlateDecode / BBox [0 0 523 523] / Type / Pattern / PatternType 1 >> поток x + T0523

% PDF-1.6 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > транслировать 2017-10-16T20: 46: 28 + 05: 302017-10-14T19: 36: 19 + 05: 302017-10-16T20: 46: 28 + 05: 30application / pdfuuid: 4a2dd673-7267-4564-820e-778eb6c8cfc1uuid: 055b8f33-8fb6-45a3-8c7a-db658f10d993ABBYY FineReader 10 конечный поток эндобдж 3 0 obj > / Кодирование> >> >> эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > >> эндобдж 10 0 obj > / ColorSpace> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC] / ExtGState 40 0 ​​R >> / Тип / Страница / BCLPrivAnnots> >> эндобдж 11 0 объект > / ColorSpace> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC] / ExtGState 47 0 R >> / Тип / Страница / BCLPrivAnnots> >> эндобдж 12 0 объект > / ColorSpace> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC] / ExtGState 54 0 R >> / Тип / Страница / BCLPrivAnnots> >> эндобдж 13 0 объект > / ColorSpace> / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC] / ExtGState 61 0 R >> / Тип / Страница / BCLPrivAnnots> >> эндобдж 14 0 объект > >> эндобдж 15 0 объект > >> эндобдж 16 0 объект > >> эндобдж 17 0 объект > транслировать x +

AIME-045

% PDF-1.4 % 1 0 объект >>>] / ON [63 0 R] / Order [] / RBGroups [] >> / OCGs [63 0 R 111 0 R] >> / Страницы 3 0 R / Тип / Каталог >> эндобдж 110 0 объект > / Шрифт >>> / Поля 115 0 R >> эндобдж 62 0 объект > поток GPL Ghostscript 9.022017-10-31T09: 33: 37 + 01: 002017-10-18T16: 51: 03 + 06: 00PDFCreator Version 1.2.12017-10-31T09: 33: 37 + 01: 00bd4033e6-b64d-11e7-0000- 75ac1636dc54uuid: b0aa75b1-bdd1-4145-ba1c-1f88c4d19f8aapplication / pdf

AIME-045

111

конечный поток эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Page >> эндобдж 18 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Page >> эндобдж 27 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Page >> эндобдж 37 0 объект > / ExtGState> / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageI] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Page >> эндобдж 46 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Page >> эндобдж 165 0 объект > поток HWoGb = d;) KQ K_ҿJ ~ w8! $ LNMGr], r9, b ཷ Cae | vbC = `۾ X] Mj bv0n _XdH) S

Устройства и системы защиты для высоковольтных приложений PDF | PDF | Реле

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 10 по 15 не показаны при предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 19 по 21 не показаны при предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 25 по 31 не показаны при предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 42 по 47 не показаны при предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 57 по 64 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 70 по 76 не показаны при предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 80 по 84 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 88 по 102 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 119 по 145 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 165 по 182 не показаны при предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 193 по 200 не показаны при предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 211 по 260 не показаны в этом предварительном просмотре.

Вы читаете бесплатный превью
Страницы с 270 по 272 не показаны в этом предварительном просмотре.